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共聚焦拉曼光谱仪3大优势

点击次数:3107  更新时间:2018-01-10
   拉曼光谱技术以其信息丰富、制样简单、水的干扰小等*优点,在化学、材料、物理、高分子、生物、医药、地质等领域有着广泛的应用。共聚焦拉曼光谱仪是其中的一种,以其*的优势占据着广阔的市场。

共聚焦拉曼光谱仪

  共聚焦拉曼光谱仪3大优势:
  1、*的灵活性:
  共聚焦拉曼光谱仪另一个*的优势就是可在系统中配备一个附加出口。用双出口选项,可多配备一个红外InGaAs阵列,ICCD,PMT或其它专业单道探测器。实际上,该系统有很宽的激光光源适应能力和多探测器选项,能提供很宽的光谱范围或进行时域分析。
  近红外探测器对于在830纳米或1064纳米激发下的发光测量(例如对于半导体材料)和拉曼分析等特别有用。这两种应用下的光谱都在标准硅器件CCD探测器的测量范围之外,例如,一些重要的III-V族半导体材料的重要信息在1100纳米和1300纳米区域,不在硅器件的敏感探测区。用其它的探测器(如InGaAs或Ge探测器),就很容易实现这个区域的测量.
  2、高分辨:
  共聚焦拉曼光谱仪具有800毫米的光谱仪焦长,其所能达到的分辨率约为标准300毫米焦长拉曼谱仪的3倍,比250毫米焦长的老式设计拉曼谱仪更高。从下图可以清楚地看到,用高分辨率系统采集的谱图有更多的数据点,在进行微小的拉曼峰移分析时,比短焦长系统准确的多。同时用HR系统能更准确地给出拉曼谱峰的峰形这一重要的参数,峰位和峰形都能表征重要的样品变化。
  3、应力引起的拉曼位移:
  共聚焦拉曼光谱仪是一种理想的应用测量工具。左图中固体相硅应力拉曼分析表明可识别出0.3cm-1的拉曼峰移。半导体器件中的新型SOI和SiGe薄膜具有类似的小峰位和峰形改变,非常适合用共聚焦拉曼光谱仪进行测量。
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